Photoresist

释义 Definition

光刻胶 / 感光抗蚀剂：一种对光（常见为紫外光）敏感的材料，涂覆在硅片、金属或玻璃表面后，经曝光与显影形成图案，用于微电子与微纳加工（如芯片制造、MEMS、微流控）。常见分为正性光刻胶（曝光处更易溶解）与负性光刻胶（曝光处更不易溶解）。

发音 Pronunciation (IPA)

/ˌfoʊtoʊrɪˈzɪst/

例句 Examples

The wafer was coated with photoresist before exposure.
晶圆在曝光前先涂覆了光刻胶。

After spin-coating the photoresist, the sample was soft-baked, aligned to a mask, exposed under UV light, and then developed to reveal the pattern.
将光刻胶旋涂后，样品进行预烘、与掩模对准、在紫外光下曝光，再显影以显现图形。

词源 Etymology

photo- 表示“光”，resist 表示“抵抗/抗蚀”。该词来自微影（photolithography）工艺语境：材料在曝光后会在后续化学步骤中表现出“抗蚀/可溶性变化”，从而把光学图案“转移”到基底上。

相关词 Related Words

• Photolithography
• Wafer
• Mask
• Exposure
• Develop
• Etch
• Spin-Coating
• Photoresistivity
• Polymer

文献与作品 Literary Works

• Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing（《微芯片制造：半导体工艺实用指南》）
• CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective（《CMOS 超大规模集成电路设计：电路与系统视角》）
• Introduction to Microelectronic Fabrication（《微电子制造导论》）
• Fundamentals of Microfabrication and Nanotechnology（《微制造与纳米技术基础》）